天津师范大学罗庇荣,东南大学王俊嘉SMTD:化学气相沉积二维二硫化钼的局部应变依赖蚀刻图案
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2024-11-07 08:30
文章摘要
本文由天津师范大学罗庇荣和东南大学王俊嘉等人合作研究,探讨了化学气相沉积(CVD)二维二硫化钼(MoS2)单层在不同局部应变条件下的氧化刻蚀规律。研究发现,局部应变的大小和平面分布显著影响CVD MoS2单层的氧化刻蚀模式,从而形成不同的刻蚀图案,包括传统的三角形刻蚀坑(TEPs)、均匀定向的六边形刻蚀通道(HECs)以及非均匀六边形混合平行刻蚀通道(HPECs)。研究结果不仅揭示了CVD MoS2的内在局部应变依赖刻蚀行为,还为其他二维材料的刻蚀图案形成机制提供了借鉴,并为基于应变工程控制的二维材料刻蚀纳米结构化工程铺平了道路,具有在电催化和光电子领域的潜在应用前景。
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