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西安交大Nat.Commun.：高取向碲化铋薄膜赋能面内热电器件用于芯片热点散热

材料人 2024-11-18 10:25
文章摘要
随着大功率芯片的发展，芯片热点散热问题日益突出，传统散热方法难以满足需求。西安交通大学与中国科学院深圳先进技术研究院合作，开发了高取向碲化铋薄膜，用于面内热电器件，旨在解决芯片热点散热问题。研究团队通过梯度沉积结合液相辅助成核技术，成功制备了高取向碲化铋薄膜，提升了薄膜的面内迁移率和热导率，实现了芯片热点温度的显著降低。该研究为新一代封装散热技术提供了创新解决方案。
西安交大Nat.Commun.：高取向碲化铋薄膜赋能面内热电器件用于芯片热点散热
查看文献： Oriented Bi2Te3-based films enabled high performance planar thermoelectric cooling device for hot spot elimination
查看期刊：Nature Communications
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