博士生一作！北京科技大学，2025年首篇Nature Materials！

本文介绍了北京科技大学张跃院士及张铮教授团队开发的一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的新方法，用于大规模生产高质量的二维过渡金属二硫族化物（TMDCs），特别是MoS2单晶。该方法在常压下快速生长出厘米级尺寸、无晶界的单晶MoS2域，展现出卓越的均匀性和高质量，具有极低的缺陷密度。通过这种方法制造的场效应晶体管（FET）显示出高器件良率和最小迁移率变化，为下一代集成电路的制造提供了重要的材料基础。研究背景指出，尽管化学气相沉积（CVD）已实现晶圆级MoS2单晶的生长，但存在晶界平移问题和高缺陷密度。2DCZ方法通过固体-液体-固体工艺，成功解决了这些问题，实现了大规模、高质量的MoS2单晶生长。结论表明，2DCZ方法不仅提高了MoS2的生长质量和规模，还促进了二维材料在集成电路中的应用。