二维滑移铁电存储与突触器件 | 进展

本文介绍了中国科学院物理研究所张广宇研究员课题组在二维滑移铁电材料及其应用方面的研究进展。滑移铁电是一种通过层间滑移实现铁电极化切换的新机制，具有在非易失存储和人工智能等领域的应用潜力。研究团队通过“晶格传质-界面外延”方法，成功制备了层数及堆垛结构可控的滑移铁电菱方相过渡金属硫族化合物单晶晶圆，并基于此开发了非易失性可擦写的滑移铁电晶体管阵列。这些器件表现出优异的存储性能和机械稳定性，并在柔性衬底上实现了卷积神经网络的高准确率图片识别。该研究为滑移铁电材料的实际应用提供了重要突破。