上海交大 Science+1！

本文介绍了上海交通大学史志文团队联合其他研究团队在单壁碳纳米管（SWNTs）领域的重要突破。研究团队通过基底工程和自组装机制，成功实现了高密度均一手性SWNT阵列的可控制备，这一成果为碳纳米管在集成电路中的应用开辟了新路径。研究团队在六方氮化硼（hBN）基底上直接生长高密度SWNT阵列，并基于范德华力的自组装生长机制，构建和验证了高性能场效应晶体管（FET）。实验结果显示，基于碳纳米管阵列制造的场效应晶体管展现出了优异的电学性能，载流子迁移率接近2,000 cm2V–1s–1，电流承载能力大于6.5mA/μm，开关比可达107，这些指标超越了以往报道的结果，并优于硅基电路发展路线图中对未来数年的预期指标。这一研究成果以“Homochiral carbon nanotube van der Waals crystals”为题发表于Science。