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力透纸背—擦写磁skyrmion

中国物理学会期刊网 2025-05-16 10:01
文章摘要
本文探讨了磁skyrmion作为一种准一维拓扑缺陷在数据存储领域的应用潜力。背景方面,传统数据存储技术依赖于长程序区域,但实际存储单元往往利用拓扑缺陷如畴壁或涡旋中心。研究目的聚焦于磁skyrmion的低维特性及其在存储密度和操控效率上的优势。结论指出,通过光致液晶基片产生的单轴应变可实现对磁skyrmion的原位擦写,展示了无接触式操控的可能性,尽管仍需辅助磁场。这一研究为未来高密度、低能耗存储技术提供了新思路。
力透纸背—擦写磁skyrmion
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