硫系相变材料构建多层膜法布里-珀罗光腔实现超高开关比光开关 | 进展

本文介绍了中国科学院物理研究所李俊杰研究员团队在微纳尺度光开关领域的最新研究进展。背景方面，传统光开关存在功耗大、开关比小、结构复杂等问题，而硫系相变材料因其相变前后显著的光学参数变化和非易失特性，为高性能光开关设计提供了新思路。研究目的是通过将新型硫系相变材料Ge2Sb2Se4Te引入多层膜法布里-珀罗腔结构，实现超高开关比的光开关。研究结果表明，在1500nm通讯波段，实验/模拟的最高开关比可达735/2410，比现有技术提升了一个数量级。结论指出，该光开关在光数据存储、信息加密和动态光调制等领域具有巨大应用潜力，并将推动先进微纳米级可重构光学器件的发展。