重磅！他，继湖大首篇Science后，时隔八年，今日再发Science！

本文报道了湖南大学段曦东教授团队在III型范德华异质结构中通过外部栅极调节层间电荷转移掺杂，实现超掺杂效应的研究。研究背景指出，二维半导体因物理空间有限难以容纳电荷掺杂剂，传统掺杂方法会损害晶格结构和电子特性。研究目的是通过栅极可调带调制技术实现超高载流子密度，从而降低接触电阻并提高晶体管性能。实验结果显示，调节后的载流子密度约为栅极电容电荷的五倍，实现了每平方厘米1.49×1014个空穴的超高二维空穴密度，并创下了p型二维晶体管的最低接触电阻和最高导通态电流密度记录。结论表明，这种策略具有普遍性，可扩展到其他范德华异质结构，为二维晶体管的性能提升提供了新途径。