湖南大学段曦东教授最新Science：栅极驱动能带调制超掺杂用于高性能P型二维半导体晶体管！

本文介绍了湖南大学段曦东教授团队在Science上发表的研究成果，他们提出了一种基于栅压可调能带调制的超重掺杂策略，实现了二维半导体材料中超高的二维载流子浓度。研究背景指出，传统的晶格取代掺杂方法难以应用于原子级薄的共价晶格结构中，而表面吸附掺杂常伴随稳定性差等问题。研究目的是通过形成具有断裂能带对齐的III型单层SnS2/双层WSe2范德华异质结构，实现高效的空穴掺杂效应。研究结果表明，通过栅控能带调制及高效电荷转移，实现了超越典型电介质击穿限制的超重掺杂效应，二维空穴浓度达到了1.49 × 1014 cm-2，器件展现出超低的接触电阻和创纪录的开启态电流密度。结论指出，该策略具有通用性，可扩展至其他范德华异质结构体系，开创了一种通用的能带调制掺杂方法，突破了电介质掺杂极限。