二维多铁材料H₂O-OH的合成和磁相变调控 | 进展

本文介绍了中国科学院物理研究所等单位在二维多铁材料H2O-OH的合成和磁相变调控方面的研究进展。背景方面，多铁性材料因其在存储与逻辑器件等领域的应用潜力而备受关注，但二维分子多铁材料的实验报道和磁相变调控机制尚待深入研究。研究目的是通过低能电子辅助合成方法，在疏水性Ag(111)表面生长新型二维分子H2O-OH，并探究其铁磁性及磁相变调控机制。结论表明，通过调控多层H2O-OH层间结构，可实现磁性的可逆切换，且这一过程可被外加电场有效调控。该研究为二维多铁材料的合成和磁相变调控提供了新思路。