上海微系统与信息技术研究所《Nature》子刊：纳米限制结构相变存储器成功开发

背景：相变存储器作为一种非易失性存储技术，其性能和可靠性一直是研究重点。传统相变存储器在循环擦写过程中易因孔洞形成导致器件失效。研究目的：中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队旨在开发一种新型纳米限制结构相变存储器，以提高器件的循环擦写寿命和能效。结论：通过引入嵌入式纳米加热电极，研究团队成功构建了新型纳米限制型存储单元，实现了超过1.0×1011次的循环擦写次数，较传统结构提升了1000倍。该结构避免了界面空洞问题，提高了加热效率，减少了过编程效应，为下一代低功耗、长寿命非易失存储器件的规模化应用奠定了基础。