Materials Science in Semiconductor Processing宽禁带半导体功率器件的封装集成与可靠性

本文探讨了宽禁带半导体功率器件的封装集成与可靠性问题。背景方面，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体迅速发展，其功率器件具有高频、高压、高效及耐高温的优势，但现有封装技术仍沿用传统硅电力电子器件技术，导致性能受限。研究目的方面，文章指出需要研究新的封装集成技术、理论模型和可靠性优化方法，以解决宽禁带半导体器件在实际应用中的技术瓶颈。结论部分强调，提升宽禁带功率半导体器件的性能与可靠性已成为国内外专家共同关注的焦点，需要从理论到应用层面进行系统性研究。