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Small：耐高温4H-SiC同质结光栅控突触

材料人 2025-07-17 09:39
文章摘要
本文研究背景是光电神经突触在人工视觉和光子神经形态计算中的重要性，尤其是紫外光电神经突触在高温环境下的应用受限问题。研究目的是基于宽禁带半导体4H-SiC设计一种耐高温的紫外光电神经突触器件，利用其同质p-n结界面内建电场延长空穴寿命，实现高温下的突触性能。结论表明，该器件在350°C高温下仍能模拟生物神经突触功能，其优异的热稳定性归因于4H-SiC的本征稳定性、宽禁带优势及掺杂工程优化，为耐高温紫外光电神经突触器件的设计提供了有效借鉴。
Small：耐高温4H-SiC同质结光栅控突触
查看文献： 4H-SiC Homojunction Photogated Synapses Enabling High-Temperature Neuromorphic Computing
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