里程碑突破！北京大学刘开辉团队，再发Science！

本文介绍了北京大学刘开辉团队在二维硒化铟半导体集成器件方面的重大突破。研究背景源于人工智能和物联网技术对计算能力的高需求，而二维硒化铟因其优异的电子迁移率被视为超越硅电子学的潜力材料。研究目的是解决硒化铟薄膜生长中的相变问题和化学计量平衡难题。通过固-液-固策略，团队成功制备出晶圆级高质量硒化铟薄膜，并构建了性能卓越的晶体管阵列，其电学指标超越了当前先进的硅基器件，为下一代高性能计算和通信技术提供了重要支持。