拓扑半金属突破互连瓶颈：新型互连材料赋能芯片性能提升 | MDPI JLPEA

本文探讨了拓扑半金属在芯片互连中的应用潜力，以解决传统铜互连在纳米尺度下导电性下降的问题。研究通过实验和仿真评估了钴铂合金 (CoPt) 和铌砷化物 (NbAs) 两种拓扑半金属的性能。CoPt在局部互连中展现出比铜更低的电阻率，尤其在10纳米厚度以下，其混合多晶硅-CoPt互连方案显著降低了DRAM延迟和D触发器面积。NbAs在全局互连中表现出卓越的导电性，比铜降低传播延迟最高达35.88%，并通过系统仿真验证了其在指令吞吐率和程序执行时间上的显著提升。研究为下一代高性能芯片开发提供了可行的材料解决方案。