AFM | 中国国立成功大学陈贞夙研究开发双模Pt/V/TaOx/Pt忆阻器，通过导电丝形成耦合Mott跃迁实现电阻相关阈值调制

该研究由中国国立成功大学陈贞夙团队发表在Advanced Functional Materials上，提出了一种双模Pt/V/TaOx/Pt莫特忆阻器，通过导电丝形成和Mott跃迁的耦合实现了电阻相关的阈值调制，从而模拟内在神经元可塑性（INP）。研究背景指出，尽管忆阻器在模拟神经元动力学方面取得了一定进展，但在INP建模中的应用仍然有限。研究目的是开发一种能够动态调节神经元兴奋性的人工神经元，以提高神经形态计算的适应性和效率。研究结果表明，该器件能够独立调节尖峰频率、首次尖峰时间及漏积分发放行为，并在持续调制下表现出适应性响应，可动态稳定尖峰行为。此外，INP还能补偿突触失效，帮助神经元恢复周期性尖峰活动。这些发现为下一代神经形态硬件提供了可扩展的解决方案。