华中科技大学Phys. Rev. B:基于交错磁CrSb的室温以上多铁隧道结

本文介绍了华中科技大学高国营课题组在Phys. Rev. B上发表的研究论文，该论文研究了基于交错磁金属CrSb的室温以上多铁隧道结。研究背景是交错磁体作为一种新兴的全补偿共线磁体，具有独特的自旋和晶体对称性，兼具铁磁和反铁磁的优势。研究目的是探究交错磁隧道结的磁控电阻、电控磁阻和自旋过滤效应。研究结果表明，CrSb/In2Se3/Fe3GaTe2隧道结的隧穿磁阻可达1031%，电致电阻可达707%，自旋过滤效率接近100%。此外，该研究还揭示了交错磁体在自旋电子学和电子学微型器件中的潜在应用价值。