AMT |p-MOSFET单片集成GaN微LED的高性能：向有源矩阵微LED显示器迈进

背景：随着显示技术发展，氮化镓基微LED因色彩鲜艳、对比度高成为新一代显示技术，但传统驱动方式存在功耗高、集成难度大等问题。研究目的：实现微LED与p-MOSFET的单片集成，提升性能并推动主动矩阵微LED显示发展。结论：成功在商用氮化镓晶圆上集成5μm蓝色微LED与p-MOSFET，光输出功率达163W·cm⁻²，外量子效率14.9%，亮度3.2m尼特，性能与独立微LED相当，展示了在AM驱动微LED显示中的应用潜力。