原子尺度晶格畸变诱导强拓扑霍尔效应 | 进展

本研究背景关注拓扑自旋构型在自旋电子器件中的应用潜力，特别是通过Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）调控实现拓扑磁结构。研究目的是通过设计具有可控氧八面体畸变的超晶格结构薄膜，探索原子尺度晶格调控对拓扑霍尔效应的影响。研究结论表明，在压缩应变条件下，通过精确控制层间厚度（2-5单胞）可诱导强拓扑霍尔效应，这种效应源于RuO6八面体畸变导致的DMI增强，为非手性磁体中拓扑磁态的可控构筑提供了新途径，对发展高密度、低功耗自旋电子器件具有重要意义。