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硒化铜/铜异质结构中光诱导层间原子迁移驱动的半导体-金属表面重构

计算材料学 2025-08-28 11:22
文章摘要
本研究背景聚焦于表面重构对材料物化性质的调控，传统方法如表面清洁与分子吸附存在局限性，光诱导手段虽具可控优势但未能改变表面化学成分。研究目的在于通过原子级观测揭示光诱导硒化铜/铜异质结构的半导体-金属转变机制，并探究其可逆性与原子迁移路径。结论表明：光辐照驱动硒原子下沉与铜原子上移，形成金属铜表层，激发态能垒降低至0.61 eV（基态为1.02 eV），热激活可实现逆向转变；该过程首次实现不同材料间的光诱导相变，为光电器件和信息存储提供了新思路。
硒化铜/铜异质结构中光诱导层间原子迁移驱动的半导体-金属表面重构
查看文献： Semiconductor-to-metal surface reconstruction in copper selenide/copper heterostructures steered by photoinduced interlayer atom migration
查看期刊：Nature Communications
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