(纯计算)北京计科中心&维格纳物理研究中心NC：六方氮化硼中耦合自旋对的单光子发射

背景：六方氮化硼（hBN）作为宽带隙半导体，其内部缺陷可形成室温下工作的量子光源和量子存储器，但缺陷的微观起源和光学特性尚不明确。研究目的：通过理论计算揭示hBN中观测到的单光子发射和光探测磁共振谱线的缺陷结构来源，重点研究含氧/碳杂质的施主-受主对模型。结论：研究证实ON-ONVB对具有光稳定性，而CB-ONVB对在特定距离下会产生亚稳态暗态并产生自旋极化，能够解释实验观测到的ODMR光谱和多种光学现象，为量子器件的确定性制备提供理论依据。