Advanced Optical Materials：电化学沉积介孔半导体薄膜光电探测器

背景：表面形貌构筑是增强化合物半导体光电探测器性能的有效手段，但现有研究多局限于微米/亚微米尺度。研究目的：东南大学团队提出通过两亲性嵌段共聚物模板电化学沉积法制备介孔Bi2Se3半导体薄膜，实现纳米级光学结构调控。结论：该方法制备的mBi2Se3/Au/Si器件表现出6 mA/W响应率、1013 Jones探测率和106 cm2/W灵敏度，性能优于无孔器件和其他报道的光电探测器，为下一代高性能光电探测器开辟了新途径。