研究前沿：北京大学，非晶氧化物半导体-氧化铟锡 | Nature Electronics

背景：非晶氧化物半导体（AOSs）作为薄沟道材料在后端生产线兼容电子产品中具有潜力，但薄体非晶材料因电子和声子强烈散射导致焦耳热，限制了其在高速功率密集型应用中的性能。研究目的：北京大学团队旨在通过使用碳化硅衬底增强非晶氧化铟锡的电和热传输性能，开发高性能晶体管。结论：研究成功制备了沟道长度为120nm的顶栅晶体管，在高温和高电场下表现出优异射频性能，截止频率达103GHz，输出功率密度和效率显著，突破了非晶材料在高功率应用中的瓶颈，为高速通信和三维集成电子提供了新方案。