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韩国忠北大学《AM》：芯片级石墨烯/IGZO冷源FET阵列，支持低于60mV dec−1超陡亚阈值摆动

材料分析与应用 2025-09-18 16:31
文章摘要
背景：随着电子器件对低功耗需求的增长，亚阈值摆幅（SS）成为关键性能指标。研究目的：开发基于石墨烯/IGZO冷源场效应晶体管（CSFET）阵列，实现低于60mV dec−1的超陡亚阈值摆动。结论：通过狄拉克锥型石墨烯抑制热尾效应，结合HfO2高介电介质，成功实现平均46.4mV dec−1的SS值和89.1%的良率，创下23.66mV dec−1的纪录，为超低功耗电路提供新方案。
韩国忠北大学《AM》：芯片级石墨烯/IGZO冷源FET阵列，支持低于60mV dec−1超陡亚阈值摆动
查看文献： Chip‐Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enabling Sub‐60 mV dec−1 Super‐Steep Subthreshold Swing
查看期刊：Advanced Materials
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