超薄二维p型BiCuSeO薄膜的室温铁电性

背景：随着电子器件小型化发展，传统块体铁电材料面临尺寸效应限制，二维铁电半导体因其独特优势成为研究热点，但现有研究主要集中在n型材料。研究目的：针对p型二维铁电材料缺失的问题，研究团队旨在开发具有室温铁电性的p型二维半导体材料。结论：通过分子束外延技术成功制备出3nm厚p型BiCuSeO薄膜，实验证实其具有室温面外铁电性和稳定翻转能力，铁电隧道结器件展现出良好开关特性，为未来多功能电子器件提供了新材料平台。