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(纯计算)新加坡科技设计大学Nano Lett.: 埃级厚度二维铋和MoS2层选择性欧姆接触中的压力驱动金属性

计算材料学 2025-10-02 21:16
文章摘要
背景：二维金属铋通过范德华压缩技术可制备至埃级厚度，但独立二维铋通常呈半导体特性，与实验观察的金属性存在矛盾。研究目的：揭示二维铋中压力诱导结构转变对电子特性的影响，并探索其在MoS2异质结中实现层选择性欧姆接触的机制。结论：研究表明面内应变引发褶皱到平坦的结构转变，使二维铋从半导体变为半金属；在MoS2-Bi-MoS2异质结中成功实现通过栅极电场调控的层选择性欧姆接触，为层电子学器件开发提供新途径。
(纯计算)新加坡科技设计大学Nano Lett.: 埃级厚度二维铋和MoS2层选择性欧姆接触中的压力驱动金属性
查看文献： Pressure-Driven Metallicity in Ångström-Thickness 2D Bismuth and Layer-Selective Ohmic Contact to MoS2
查看期刊：Nano Letters
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