四川大学、长光华芯、国防科技大学等：GaAs基高功率半导体激光器十年进展——从百瓦芯片到千瓦模块 | 中国激光•专题封面

本文综述了近十年来GaAs基高功率边发射半导体激光器的关键技术进展。背景方面，作为光纤激光器、固体激光器等系统的核心泵源，其发展始终与国防及工业应用需求紧密关联。研究目的聚焦于突破功率效率瓶颈，通过分析宽条与锥形激光器模式调控、内置光栅波长锁定机制及光纤耦合技术，系统梳理了从芯片制备到模块集成的技术路线。结论表明，通过MOCVD外延工艺优化、非对称波导设计及多结芯片创新，单管功率从百瓦级提升至千瓦模块水平，电光效率最高达85%，同时国产技术已实现从跟跑到并跑的跨越，在批量制造方面达到国际领先地位。