激光诱导石墨烯新突破-武汉理工大学Nano Res.：低方阻激光分步诱导石墨烯实现电磁屏蔽调控

本文针对激光诱导石墨烯（LIG）因结构缺陷导致电学性能不足的问题，提出了一种激光分步诱导石墨烯（LSIG）策略。研究背景是柔性电子器件需要高效简易的材料制备技术，而传统修复方法会破坏基底或增加工艺复杂度。研究目的是通过聚焦与离焦激光组合加工，修复石墨烯缺陷并提升结晶度，从而降低方阻至15.0 Ω sq⁻¹，改善电学性能。结论表明，该方法实现了电磁屏蔽性能从无到有的突破，在频率选择表面应用中有效屏蔽带宽达4.92 GHz，并具备良好的化学和力学稳定性，为电子与电磁器件的功能薄膜制备提供了新方案。