(纯计算)清华大学李佳团队Phys. Rev. B: 通过界面工程在砷烯/CuInP2S6异质结中实现铁电增强与高密度阵列设计

计算材料学 2025-10-12 19:36

文章摘要

背景：二维范德华铁电体CuInP2S6在超薄极限和室温下保持稳定面外铁电性，但其高极化相在少层结构中易受抑制。研究目的：通过构建砷烯/CuInP2S6异质结，利用界面工程稳定高极化相并设计高密度铁电阵列。结论：第一性原理计算表明界面形成Cu-As键增强铁电极化，构建的三层莫尔超晶胞实现高存储密度铁电阵列，居里温度较高，为纳米电子器件提供理论指导。

(纯计算)清华大学李佳团队Phys. Rev. B: 通过界面工程在砷烯/CuInP2S6异质结中实现铁电增强与高密度阵列设计

查看文献： Ferroelectric enhancement and high-density array design in arsenene/ CuInP2S6 heterostructures via interface engineering
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