所有作者全部中文署名！刘忠范院士高徒，上海科技大学纪清清/濮超丹，重磅Matter！

本文研究背景是基于低维材料的非易失性存储器在小型化数据存储应用中面临耐用性和电荷保持的挑战。研究目的是开发一种将单层MoS2与CdSe@CdS核壳量子点集成的混合维存储架构，通过表面工程和电化学惰性钝化配体减少界面缺陷，实现高效电荷约束。研究结论表明，优化后的异质结构器件具有140 V记忆窗口、106开关比、超过5×104次循环耐久性以及10年96.5%电荷保留率，性能优于先前报道的量子点存储器，电测量证实了串联电荷转移机制，突显了协同结构优化在抑制电荷泄漏中的关键作用，为结合二维半导体和缺陷工程量子点的可扩展平台提供了电荷动力学见解。