Nano Res.[形貌]│一维晶体结构赋予半导体晶界缺陷良性

本文背景聚焦于多晶半导体薄膜中晶界缺陷对电学性能的负面影响，如悬挂键导致的深能级缺陷态，阻碍载流子传输。研究目的旨在通过对比一维、二维和三维半导体，揭示一维晶体结构在抑制晶界有害影响方面的独特优势，以典型一维材料硒为例进行系统分析。结论表明，一维半导体如硒的晶界具有本征良性特征，实验测得晶界电位差仅约10 mV，远低于传统材料，且无悬挂键缺陷，为高性能半导体器件开发提供了新方向。