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兰大AFM: 超高频电容式离子二极管在存算一体方面的潜在应用

材料人 2025-11-09 14:00
文章摘要
背景：人工智能与数据密集型技术发展面临存储容量与处理效率的挑战，模拟神经网络成为实现类脑计算的可行路径。研究目的：开发基于水合六方相三氧化钨的电容式离子二极管，以解决现有器件整流比低、频率响应有限等问题，探索其在存算一体架构中的应用。结论：该电容式离子二极管实现了242的整流比和1745 Hz的响应频率，具备优异的循环稳定性、擦写能力和长期记忆效应，可在千赫兹频率下执行逻辑运算，为类脑计算和存算一体提供了新的器件解决方案。
兰大AFM: 超高频电容式离子二极管在存算一体方面的潜在应用
查看文献： Bioinspired High‐Rate Supercapacitor Diode for Kilohertz Computing‐In‐Memory Application
查看期刊：Advanced Functional Materials
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