这篇Science，会发光，复旦校友担任一作！

背景：卤化物钙钛矿因其优异的光电性能在光电器件中具有重要应用潜力，但传统三维钙钛矿存在厚度控制和能带调控困难的问题，而二维钙钛矿又面临相不均匀和界面结构不明确等挑战。研究目的：剑桥大学研究团队旨在开发一种精确控制钙钛矿异质结厚度和能带结构的方法，以突破多层器件构建的技术瓶颈。结论：通过气相逐层外延生长技术，成功实现了CsPbBr₃在二维钙钛矿上的原子级平滑外延，获得了可调控的I型/II型异质结结构，能带偏移量超过0.5电子伏，显著改善了载流子传输性能，为钙钛矿超晶格光电器件提供了可扩展的平台。