拓扑电子材料LaSbTe | Nature Materials
计算材料学
2025-11-16 14:51
文章摘要
本文研究了拓扑电子材料LaSbTe中拓扑态的可控调控。背景方面,拓扑材料在过去二十年中已被广泛发现,但在单一材料中实现拓扑行为的有意调控仍具挑战。研究目的旨在通过化学置换和电子掺杂方法,在LaSbₓTe₂₋ₓ材料中实验控制拓扑节环,实现拓扑态的可逆切换。具体通过调节锑含量或表面钾沉积,改变电子浓度,诱导结构相变和n滑移对称性破缺,从而在节点环中打开或关闭能隙。结论表明,角分辨光电发射光谱和DFT计算证实了从无能隙到有能隙拓扑态的可逆转变,电子浓度是控制拓扑相变的关键参数,这为通过静电选通调控拓扑相提供了可能性。
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