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南京工业任小明/邵冬生/苏大宁为华 | Mn²⁺掺杂与空位工程诱导相变实现氯化铅基杂化材料的超高介电开关比

RSC英国皇家化学会 2025-11-18 12:55

文章摘要

本文研究背景为温敏介电材料在智能器件中的重要性，指出有机-无机杂化钙钛矿虽具潜力但实现高介电开关比面临挑战。研究目的是通过Mn²⁺掺杂与空位工程诱导层状杂化钙钛矿[C₅H₁₂N]₂PbCl₄发生结构相变，以提升介电开关性能。结论表明：掺杂后材料在403K附近出现离子电导率突变，x=0.15样品的介电开关比达10³，空位显著增强了高温相离子传输能力，为开发高性能介电器件提供了新策略。

南京工业任小明/邵冬生/苏大宁为华 | Mn²⁺掺杂与空位工程诱导相变实现氯化铅基杂化材料的超高介电开关比

查看文献： Mn2+-doping and Vacancy Engineering Induce Phase Transition with Ultrahigh Dielectric Switching Ratio in Lead Chloride Hybrids
查看期刊：Inorganic Chemistry Frontiers

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