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本文针对二维过渡金属硫族化合物中金属-半导体接触电阻高、界面稳定性差的问题，提出原子层键合技术。研究通过移除MoS₂顶层硫原子，使钼原子层与金属形成强耦合界面，实现70 Ω·μm的超低接触电阻和1.1 mA/μm的高开启电流。实验证明该接触在400°C高温下仍保持稳定，其键合强度是传统范德华接触的5.4倍，能带结构显示金属化相干界面形成连续电子态。该技术使二维器件性能超越工业硅技术指标，为二维电子学从实验室走向产业化奠定基础。