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纳米人
2025-11-24 08:32
文章摘要
本文针对二维半导体材料在金属-半导体接触中面临的接触电阻高和热机械稳定性差的问题，提出了一种原子层键合（ALB）接触策略。研究背景指出，传统范德华接触因弱键合特性难以满足工业集成需求。研究目的旨在通过建立金属相干键合界面，实现超低接触电阻和高温稳定性的协同突破。实验结果表明，ALB接触在单层二硫化钼中实现了70 Ω·μm的接触电阻和400°C的热稳定性，导通电流达1.1 mA/μm，其性能超越现有方案，为二维电子器件产业化提供了关键技术支撑。
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