研究透视：三星NAND闪存-铁电场效应晶体管 | Nature

本研究背景源于人工智能和数据中心对低功耗存储技术的迫切需求，传统NAND闪存因串式架构需高电压操作导致功耗过高。研究目的是通过开发铁电-氧化物通道异质结结构，采用锆掺杂二氧化铪铁电层与氧化物半导体沟道，实现超低功耗存储器。研究结论表明，该铁电场效应晶体管具备接近零的通过电压，功耗降低96%，支持每单元5位存储，并成功集成至25纳米3D堆叠结构，为下一代高能效存储解决方案提供了技术路径。