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中科院杭高院《Carbon》:硼掺杂活化3D多孔石墨烯,用于高性能电磁干扰屏蔽

材料分析与应用 2025-11-27 16:31
文章摘要
本文针对电磁污染问题,研究通过激光直接书写技术制备三维多孔硼掺杂石墨烯薄膜用于电磁干扰屏蔽。背景显示传统金属屏蔽材料存在局限性,而三维石墨烯具有显著优势。研究目的是通过优化硼掺杂提升材料性能,实验表明10B-LIG薄膜面电阻降至5.9Ω/sq,在X波段实现34.2dB屏蔽效能。结论证实该材料以吸收为主导的屏蔽机制,分子动力学模拟揭示硼掺杂形成拓扑缺陷增强介电损耗,为下一代电子设备提供了超薄吸收型屏蔽材料的可行方案。
中科院杭高院《Carbon》:硼掺杂活化3D多孔石墨烯,用于高性能电磁干扰屏蔽
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