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研究前沿：武汉大学何军团队：铁电半导体-二硫化钨WS₂ | Advanced Materials

今日新材料 2025-12-08 11:30
文章摘要
背景：具有可切换极性特性的双层菱面体堆叠过渡金属二硫化物是构建低功耗、非易失性存储器件的理想材料，但其晶圆级单晶外延生长面临相结构和畴取向控制的挑战。研究目的：武汉大学何军团队旨在开发一种可控方法，实现晶圆级二维铁电半导体单晶的制备，并构建高性能存储器件。结论：研究团队通过钒辅助外延策略，在c面蓝宝石上成功合成了两英寸尺寸的双层3R-WS₂单晶。该方法通过引入钒增强了层间耦合，打破了能量简并性，并诱导了单向畴成核。基于此材料制备的铁电半导体场效应晶体管表现出高耐久性（超过10⁵次循环）和大写入/擦除比（3.0×10⁵），为存算一体芯片设计提供了新思路。
研究前沿：武汉大学何军团队：铁电半导体-二硫化钨WS₂ | Advanced Materials
查看文献： Vanadium-Assisted Epitaxy Growth of Wafer-Scale Bilayer Tungsten Disulfide Ferroelectric Semiconductor Single Crystals with High-Endurance Memory
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