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浙江大学王立教授/俞豪杰教授团队 JMCA：金属基极紫外光刻胶及光刻机理的研究进展

高分子科技 2025-12-22 11:45
文章摘要
本文背景是随着集成电路行业向更小节点发展，极紫外（EUV）光刻成为关键技术，对光刻胶材料提出了更高要求。研究目的是系统综述金属基极紫外光刻胶的研究进展，聚焦于Sn、Zr、Hf等金属体系，深入解析其光刻机理，并探讨通过结构调控优化性能的策略。结论指出，金属基光刻胶具有高吸收、高分辨率等优势，通过调整金属团簇的核壳结构或开发新型小分子光刻胶等设计思路，并借助多学科交叉协作，有望实现高性能EUV光刻胶的突破，从而推动集成电路制造业的发展。
浙江大学王立教授/俞豪杰教授团队 JMCA：金属基极紫外光刻胶及光刻机理的研究进展
查看文献： Advances in metal-based photoresist materials for EUV lithography and lithographic mechanisms
查看期刊：Journal of Materials Chemistry A
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