“南北”联手！北京大学「国家杰青」彭海琳院长/谭聪伟&南京大学「长江特聘」聂越峰，最新JACS！
顶刊收割机
2025-12-31 10:00
文章摘要
背景：将单晶二维半导体集成到硅上是实现二维材料与硅技术线收敛的关键，但直接生长常受弱界面相互作用和化学反应挑战。研究目的：北京大学彭海琳、谭聪伟和南京大学聂越峰团队提出一种外延集成策略，借助单晶SrTiO3缓冲层将高迁移率二维Bi2O2Se单晶薄膜集成到Si(100)上，以克服直接外延的障碍。结论：该方法在厘米尺度上实现了优异的单晶性和均匀性，原子级清晰的外延界面使制备的场效应晶体管迁移率达约230 cm² V⁻¹ s⁻¹，为工业化硅衬底上可扩展制备高质量二维半导体提供了新策略。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿，本站转载出于非商业性的教育和科研之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题，请作者速来电或来函联系。
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
