面向绿色光电子应用的AgBiS2：从材料设计到器件性能优化

本文是一篇关于绿色半导体材料AgBiS2在光电子应用领域的综述文章。背景方面，AgBiS2作为一种环境友好、无毒且光吸收能力强的I–V–VI2族化合物半导体，被视为替代含铅、镉等有毒光电子材料的理想候选，但其器件性能目前仍落后于理论极限和主流材料。研究目的上，文章系统总结了AgBiS2的结构特性、薄膜制备工艺（包括量子点与非量子点体系）、以及在太阳能电池、光电探测器和薄膜晶体管等器件中的应用进展与优化策略，旨在为相关器件的设计与性能提升提供理论参考和技术指引。结论指出，尽管AgBiS2研究取得显著进展，但其性能瓶颈源于材料本征特性（如短电子扩散长度）与制备工艺的复杂相互作用；未来需通过深入理解基础物理性质和推进材料与界面工程的双重策略，才能使其发展成为具有竞争力的颠覆性技术。