北京大学Science +1

背景：铁电体在非易失性存储器和下一代电子器件中潜力巨大，但传统铁电氧化物薄膜存在结构不均匀性、界面去极化等问题，尤其在尺寸缩小时性能退化。研究目的：北京大学研究团队旨在开发一种晶片级、超薄且均匀的范德华铁电氧化物合成方法，以克服传统铁电集成的关键限制，如临界厚度和界面电荷俘获。结论：该研究通过原位氧化二维半导体Bi₂O₂Se，在低温下生长出超薄范德华铁电氧化物α-Bi₂SeO₅，实现了与二维半导体的无缝集成，并构建了高性能铁电晶体管阵列，具备超低工作电压、快速写入和长循环寿命，为后摩尔时代低功耗存算一体和三维集成芯片提供了材料基础。