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研究前沿：上海微系统所宋志棠/上海交通大学，非晶硒-电荷触发开关 | Nature Materials

今日新材料 2026-03-04 15:06
文章摘要
背景：随着人工智能模型参数规模的指数级增长，传统存储系统难以满足速度、容量和能效需求，三维相变存储器等交叉点架构成为潜在解决方案，但其性能受限于选择器材料。研究目的：探索高效的双向阈值开关选择器材料，以解决传统材料因阳离子迁移导致的漏电流和老化问题。结论：研究发现非晶硒作为一种单质材料，具有超低漏电流、高开关比、快速开关速度和优异耐久性，其电荷触发机制通过陷阱态钉扎费米能级抑制漏电流，并在阈值附近激发载流子实现突变开关，集成测试展示了可靠的存储操作，为非晶硒在三维存储器中的应用提供了依据。
研究前沿：上海微系统所宋志棠/上海交通大学，非晶硒-电荷触发开关 | Nature Materials
查看文献： Charge-triggered switching mechanism in selenium selector enabling ultralow leakage current.
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