科研界“神雕侠侣”！携手发表近30篇Science/Nature正刊，最新Nature Materials！

背景：铅卤钙钛矿因其优异的光电性能在光电器件领域潜力巨大，但其软离子晶格特性导致本征载流子掺杂浓度极低，难以制备低电阻金属接触，传统金属沉积工艺会损伤界面，造成高接触电阻。研究目的：为解决铅卤钙钛矿中实现有效选择性接触掺杂的长期难题，研究团队旨在开发一种新的接触掺杂策略以显著降低接触电阻。结论：通过低能范德华集成工艺将Ag/Au电极转移到CsPbBr3单晶薄膜上，经退火和紫外光处理形成Ag2O/CsPbBr3体异质结。嵌入的Ag2O团簇作为电子受体，在接触区诱导出约5×10^17 cm^-3的局域空穴密度，显著收缩肖特基势垒，增强载流子注入，将接触电阻降至26–70 Ω·cm，在190K下实现225 μS的高片电导。该策略为克服钙钛矿晶格掺杂难题提供了新方案，对相关光电器件发展具有重要意义。