研究前沿：邢慧丽，氮化镓GaN-宽禁带半导体 | Nature Electronics

背景：氮化镓（GaN）作为宽禁带半导体，在射频功率放大器和功率电子等领域应用广泛，但其p型材料中空穴掺杂效率低、迁移率不足，阻碍了对其价带特性和空穴输运的深入研究。研究目的：康奈尔大学的研究团队旨在研究GaN/AlN异质结构界面处通过极化诱导形成的二维空穴气（2DHG），实现高空穴迁移率，并观测其中空穴的量子振荡现象。结论：在2K低温下，该二维空穴气中的轻空穴和重空穴分别展现出2000 cm² V⁻¹ s⁻¹和400 cm² V⁻¹ s⁻¹的高迁移率，并成功观测到舒勃尼科夫-德哈斯振荡，由此提取了相关载流子参数。这一进展展示了发展低温GaN互补金属氧化物半导体技术的潜力，在量子计算控制电路等领域具有应用前景。