研究透视：杨建华，高温忆阻器-界面工程 | Science

背景：在航空航天、深地钻探等极端环境中，电子器件需在500°C以上高温稳定运行，但传统硅基器件在200°C以上可靠性退化，现有非易失存储技术如相变存储器、Flash等在高温下存在稳定性瓶颈。阻变存储器（忆阻器）因结构简单、低功耗受关注，但高温会加速离子迁移导致器件退化。研究目的：通过界面工程提升忆阻器的高温稳定性，实现极端环境下的可靠数据存储。结论：南加州大学杨建华团队在Science报道了一种石墨烯/HfOx/钨结构的忆阻器，利用石墨烯电极抑制钨扩散，在700°C下实现开关比大于10³、保持时间超50小时、耐久性超10⁹次循环，并通过第一性原理计算揭示了石墨烯弱吸附和高扩散势垒的稳定机制，证明了二维材料界面工程在高温非易失存储器中的关键潜力。