重磅！新国大龚萧/陈景升/浙江大学田鹤最新Nature Materials丨氮化物基电场诱导相变非易失性存储器！

背景：随着物联网和人工智能发展，数据存储需求激增，传统冯·诺依曼架构面临“存储墙”瓶颈，现有非易失性存储器技术如MRAM、FeRAM等在编程延迟、能耗、稳定性和高温可靠性方面存在局限。研究目的：开发一种高速、低功耗、高可靠性且与CMOS工艺兼容的新型非易失性存储器技术。结论：研究团队成功研制了一种基于Al₀.₇Sc₀.₃N薄膜的电场诱导相变存储器（EPTRAM），该器件利用纤锌矿相与岩盐矿相的可逆转变实现阻变存储，具有超低操作电压（<0.3V）、超快开关速度（<3ns）、超低能耗（约30-150 fJ/bit）以及卓越的高温耐久性（在583K下超过10⁸次循环），无需Forming过程，为下一代高密度数据存储和极端环境应用提供了有前景的解决方案。