陕西科大孙梓雄团队: 畴工程 + 缺陷工程 → 低功耗 & 高密度电介质陶瓷
RSC英国皇家化学会
2024-07-14 10:00
文章摘要
陕西科大孙梓雄团队通过畴工程和缺陷工程的结合,成功研发了一种低功耗且高密度的电介质陶瓷。该研究以(1-x)Ba0.15Ca0.85Zr0.10Ti0.90O3-xBi(Zn2/3Ta1/3)O3(BCZT-xBZT)为对象,利用传统固相法制备陶瓷,并通过Rietveld XRD结构精修和TEM图像分析,发现x=0.15时材料具有最高的储能密度和最佳的能量存储行为。研究结果表明,通过界面极化和偶极子极化的双重提升,该材料在保证极低能量消耗的同时,实现了超高能量存储能力,为新一代功能材料的研发提供了重要思路。
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